Principe van versterking

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SCitec) is een hightech onderneming die gespecialiseerd is in de productie en verkoop van telefoonaccessoires. Onze belangrijkste producten zijn reisladers, autoladers, USB-kabels, powerbanks en andere digitale producten. Alle producten zijn veilig en betrouwbaar, met unieke stijlen. Producten passeren certificaten zoals CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick, enz. , Als u hierin geïnteresseerd bent, kunt u rechtstreeks contact opnemen met ceo@schitec.com. 

Blijf veilig opladen met SChitec

Principe van versterking

1. Het lanceergebied zendt elektronen uit naar het basisgebied

De stroombron Ub wordt via de weerstand Rb op de emitterovergang aangelegd en de emitterovergang is voorwaarts voorgespannen, en de meerderheidsdragers (vrije elektronen) in het emittergebied kruisen continu de emitterovergang naar het basisgebied om de emitterstroom Ie te vormen . Tegelijkertijd diffunderen de meeste dragers in het basisgebied ook naar het emittergebied. Omdat de meerderheidsdragerconcentratie echter veel lager is dan de dragerconcentratie in het emittergebied, kan deze stroom worden genegeerd. Daarom kan worden aangenomen dat de emitterovergang hoofdzakelijk een elektronenstroom is.

2. Diffusie en recombinatie van elektronen in het basisgebied

Nadat het elektron het basisgebied is binnengegaan, is het dicht nabij de emitterovergang en vormt het geleidelijk een elektronconcentratieverschil. Onder invloed van het concentratieverschil wordt ervoor gezorgd dat de elektronenstroom in de collectorovergang in het basisgebied diffundeert, en wordt het elektrische veld van de collector in de stroomcollector getrokken. Het gebied vormt een collectorstroom Ic. Er is ook een klein deel van de elektronen (omdat het basisgebied erg dun is) gerecombineerd met de gaten in het basisgebied, en de verhouding van de diffuse elektronenstroom tot de samengestelde elektronenstroom bepaalt het versterkingsvermogen van de triode.

3. Elektriciteit verzamelen in het collectorgebied

Omdat de collectorovergang plus de sperspanning groot is, zal de elektrische veldkracht die door deze sperspanning wordt gegenereerd, voorkomen dat de elektronen in het collectorgebied naar het basisgebied diffunderen, en tegelijkertijd zullen de elektronen naar de omgeving van de collector diffunderen. junctie worden in het collectorgebied getrokken om een ​​collectorhoofd te vormen. Huidige icn. Bovendien produceren minderheidsdragers (gaten) in het collectorgebied ook driftbewegingen, die naar het basisgebied stromen en een omgekeerde verzadigingsstroom vormen, die wordt weergegeven door Icbo, dat een kleine waarde heeft maar extreem gevoelig is voor temperatuur.