Ontwikkeling van transistoren
Nov 05, 2019| Blijf veilig opladen met SChitec
Ontwikkeling van transistoren
1) Vacuümtriode
In februari 1939 deed Bell Labs een grote ontdekking: de geboorte van de p_n-overgang van silicium. In 1942 ontdekte een student genaamd Seymour Benzer van een groep onder leiding van Purdue University Lark_Horovitz dat enkele kristallen van germanium uitstekende rectificerende eigenschappen hebben die niet in andere halfgeleiders voorkomen. Deze twee bevindingen voldeden aan de eisen van de Amerikaanse overheid en legden de basis voor de daaropvolgende uitvinding van transistors.
2) Puntcontacttransistor
Aan het einde van de Tweede Wereldoorlog in 1945 werden de puntcontacttransistors, uitgevonden door Shockley en anderen, de voorlopers van de menselijke micro-elektronica-revolutie. Daartoe heeft Shockley een patent ingediend voor de eerste transistor voor Bell. Uiteindelijk kreeg ik de autorisatie voor het eerste transistorpatent.
3) Bipolaire en unipolaire transistoren
Gebaseerd op bipolaire transistors, stelde Shockley in 1952 verder het concept van een unipolaire junctie-transistor voor, de junctie-transistor die vandaag wordt beschreven. De structuur is vergelijkbaar met die van een pnp- of npn-bipolaire transistor, maar er bevindt zich een depletielaag op het grensvlak van het p_n-materiaal om een gelijkrichtend contact te vormen tussen de poort en het geleidende source-drain-kanaal. De halfgeleider aan beide uiteinden dient als poort. Pas de stroom tussen de bron en de afvoer door de poort aan
4) Siliciumtransistor
Fairchild Semiconductor is uitgegroeid van een bedrijf met meerdere mensen tot een groot bedrijf met 12,000 medewerkers.
5) Geïntegreerde schakeling
Na de uitvinding van siliciumtransistors in 1954 zijn de enorme toepassingsmogelijkheden van transistors steeds duidelijker geworden. Het volgende doel van wetenschappers is het verder efficiënt verbinden van transistors, draden en andere apparaten.
6) Veldeffecttransistor en MOS-buis
In 1961, de geboorte van de MOS-buis. In 1962 ontdekten Stanley, Heiman en Hofstein, die werkten aan de RCA-onderzoeksgroep voor apparaatintegratie, dat transistors kunnen worden geconstrueerd door diffusie en thermische oxidatie van geleidende strips, kanaalgebieden met hoge weerstand en isolatielagen van oxidelagen gevormd op Si-substraten. . Buis [ .


