Collector - omgekeerde doorslagspanning van de collector
Nov 05, 2019| Blijf veilig opladen met SChitec
Collector - omgekeerde doorslagspanning van de collector
Deze spanning is de maximaal toegestane sperspanning tussen de collector en de emitter wanneer de transistor open is, doorgaans aangegeven met VCEO of BVCEO.
Basis - basis omgekeerde doorslagspanning
Deze spanning is de maximaal toegestane sperspanning tussen de collector en de basis wanneer de emitter van de transistor open is, uitgedrukt in VCBO of BVCBO.
Emitter-emitter omgekeerde doorslagspanning
Deze spanning is de maximaal toegestane sperspanning tussen de emitter en de basis wanneer de collector van de transistor open is, zoals aangegeven door VEBO of BVEBO.
Collector - tegenstroom-ICBO tussen bases
ICBO wordt ook wel omgekeerde lekstroom van de collectorovergang genoemd, wat verwijst naar de tegenstroom tussen de collector en de basis wanneer de emitter van de transistor open is. ICBO is gevoelig voor temperatuur, en hoe kleiner de waarde, hoe beter de temperatuurkarakteristieken van de transistor.
Collector - Omgekeerde doorslagstroom tussen emitters ICEO ICEO verwijst naar de omgekeerde lekstroom tussen de collector en de emitter wanneer de basis van de transistor open is, ook wel de penetratiestroom genoemd. Hoe kleiner de stroomwaarde, hoe beter de prestaties van de transistor.


